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事情电压
2.4~3.6V
事情电流
1.5mA
ADC ENOB
18.8bits@8sps
Gain = 100
Gain = 100
外设
RTC、I?C、UART、SPI 、PWM
封装
QFN48
本芯片是高精度24位ADC的SoC产物，外围资源富厚：RTC，可选的多种稳压电源输出，无邪设置的PGIA？，升压？椋 UART、I?C、SPI、TIMER、PWM/PDM、PFD、CAPTURE输出？，LCD驱动等。
本产物带16k Bytes OTP，可以低压自烧录，烧录电压规模：2.4~3.6V，OTP可以替换EEPROM使用。
超低功耗设计，典型应用时整个芯片的事情电流约为1mA（IAD = 0）或1.5mA（IAD = 1）。提供三种事情模式：正常事情模式、待机模式和休眠模式。
高精度ADC，ENOB = 18.8bits@8sps，差分2通道或单端4通道
低噪声高输入阻抗前置放大器，1、12.5、50、100和200倍zeng益可选
8位RISC超低功耗MCU，在2MHz事情时钟，MCU部门在3V事情电压下电流典型值 为300μA；32kHz时钟待机模式下事情电流1.5μA，休眠模式电流小于1μA
16k Bytes OTP法式存储器，512Bytes SRAM数据存储器
低压烧录功效，可以替换外部EEPROM
集成多种时钟振荡器，无邪多样的时钟选择，选择外部晶振时，支持停振检测功效
ADC输出速率可选择规模：8SPS-2kSPS
24SEG*4COM液晶驱动电路，超低功耗和大驱动能力设计；内含程控升压模块，可 以在低压条件下维持高亮显示，并支持灰度调治
内有硅温度传感器，可单点校准
输出1.2V低温漂基准
输出四种可选择稳压源：2.4V/2.6V/2.9V/3.3V，提供外部传感器激励信号
无邪的电池检测功效，检测规模2.0~3.3V
ADC外部基准与内部基准可选，内部集成多种基准选项
RTC？，可以提供秒信号输出
富厚的外围资源：UART，I2C，SPI，PWM/PDM，PFD，TIMER，CAPTURE
掉电检测电路和上电竎i坏缏
事情电压规模：2.4~3.6V
事情温度规模：-40~85℃
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